文献
J-GLOBAL ID:201502272633743427
整理番号:15A0700853
ナノ結晶ドープGeSbTe材料を用いた4F2-クロスポイント相変化メモリー
A 4F2-cross-point phase change memory using nano-crystalline doped GeSbTe material
著者 (6件):
TAKAURA Norikatsu
(Low-power Electronics Assoc. & Project (LEAP), Ibaraki, JPN)
,
KINOSHITA Masaharu
(Low-power Electronics Assoc. & Project (LEAP), Ibaraki, JPN)
,
TAI Mitsuharu
(Low-power Electronics Assoc. & Project (LEAP), Ibaraki, JPN)
,
OHYANAGI Takasumi
(Low-power Electronics Assoc. & Project (LEAP), Ibaraki, JPN)
,
AKITA Kenichi
(Low-power Electronics Assoc. & Project (LEAP), Ibaraki, JPN)
,
MORIKAWA Takahiro
(Low-power Electronics Assoc. & Project (LEAP), Ibaraki, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
54
号:
4S
ページ:
04DD01.1-04DD01.6
発行年:
2015年04月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)