文献
J-GLOBAL ID:201502273273878730
整理番号:15A0597411
酸化セリウム系ランダムアクセスメモリの特性と機構の研究
Characteristics and mechanism study of cerium oxide based random access memories
著者 (5件):
HSIEH Cheng-chih
(Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, 10100 Burnet Rd. Bldg. 160, Austin, Texas 78758, USA)
,
ROY Anupam
(Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, 10100 Burnet Rd. Bldg. 160, Austin, Texas 78758, USA)
,
RAI Amritesh
(Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, 10100 Burnet Rd. Bldg. 160, Austin, Texas 78758, USA)
,
CHANG Yao-feng
(Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, 10100 Burnet Rd. Bldg. 160, Austin, Texas 78758, USA)
,
BANERJEE Sanjay K.
(Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, 10100 Burnet Rd. Bldg. 160, Austin, Texas 78758, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
106
号:
17
ページ:
173108-173108-5
発行年:
2015年04月27日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)