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文献
J-GLOBAL ID:201502273630429663   整理番号:15A0718879

HgTeに基づいた単一量子井戸を用いたMIS構造の微分コンダクタンスと容量電圧特性

Differential conductance and capacity-voltage characteristics of MIS structures with single quantum wells based on HgTe
著者 (4件):
GORN Dmitry I.
(National Res. Tomsk State Univ., Tomsk, RUS)
VOITSEKHOVSKII Alexander V.
(National Res. Tomsk State Univ., Tomsk, RUS)
DZYADUKH Stanislav M.
(National Res. Tomsk State Univ., Tomsk, RUS)
NESMELOV Sergey N.
(National Res. Tomsk State Univ., Tomsk, RUS)

資料名:
International Journal of Nanotechnology  (International Journal of Nanotechnology)

巻: 12  号: 3/4  ページ: 164-173  発行年: 2015年 
JST資料番号: A1346A  ISSN: 1475-7435  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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