文献
J-GLOBAL ID:201502273630429663
整理番号:15A0718879
HgTeに基づいた単一量子井戸を用いたMIS構造の微分コンダクタンスと容量電圧特性
Differential conductance and capacity-voltage characteristics of MIS structures with single quantum wells based on HgTe
著者 (4件):
GORN Dmitry I.
(National Res. Tomsk State Univ., Tomsk, RUS)
,
VOITSEKHOVSKII Alexander V.
(National Res. Tomsk State Univ., Tomsk, RUS)
,
DZYADUKH Stanislav M.
(National Res. Tomsk State Univ., Tomsk, RUS)
,
NESMELOV Sergey N.
(National Res. Tomsk State Univ., Tomsk, RUS)
資料名:
International Journal of Nanotechnology
(International Journal of Nanotechnology)
巻:
12
号:
3/4
ページ:
164-173
発行年:
2015年
JST資料番号:
A1346A
ISSN:
1475-7435
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)