文献
J-GLOBAL ID:201502274064749520
整理番号:15A0628092
選択的エピ除去を使ってGaNにモノリシックに集積したLEDとMOSチャネルHEMTの高温特性
High temperature characteristics of monolithically integrated LED and MOS-channel HEMT in GaN using selective epi removal
著者 (8件):
LI Z.
(Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, NY, 12180, USA)
,
WALDRON J.
(Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, NY, 12180, USA)
,
CHOWDHURY S.
(Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, NY, 12180, USA)
,
ZHAO L.
(Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, NY, 12180, USA)
,
DETCHPROHM T.
(Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, NY, 12180, USA)
,
WETZEL C.
(Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, NY, 12180, USA)
,
KARLICEK R. F. Jr.
(Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, NY, 12180, USA)
,
CHOW T. P.
(Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, NY, 12180, USA)
資料名:
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻:
212
号:
5
ページ:
1110-1115
発行年:
2015年05月
JST資料番号:
D0774A
ISSN:
1862-6300
CODEN:
PSSABA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)