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文献
J-GLOBAL ID：201502274228956130
整理番号：15A0423701
高湿度下でのアモルファスインジウム-ガリウム酸化亜鉛薄膜トランジスタの安定性に与えるSiO2とSiO2/SiNxパシベーションの効果
Effect of SiO2 and SiO2/SiNx Passivation on the Stability of Amorphous Indium-Gallium Zinc-Oxide Thin-Film Transistors Under High Humidity
CHOWDHURY Delwar Hossain
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
,
MATIVENGA Mallory
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
,
UM Jae Gwang
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
,
MRUTHYUNJAYA Ravi K.
(Carestream Health Inc., NY, USA)
,
HEILER Gregory N.
(Carestream Health Inc., NY, USA)
,
TREDWELL Timothy John
(Carestream Health Inc., NY, USA)
,
JANG Jin
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62 号： 3 ページ： 869-874 発行年： 2015年03月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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