文献
J-GLOBAL ID:201502274228956130
整理番号:15A0423701
高湿度下でのアモルファスインジウム-ガリウム酸化亜鉛薄膜トランジスタの安定性に与えるSiO2とSiO2/SiNxパシベーションの効果
Effect of SiO2 and SiO2/SiNx Passivation on the Stability of Amorphous Indium-Gallium Zinc-Oxide Thin-Film Transistors Under High Humidity
著者 (7件):
CHOWDHURY Delwar Hossain
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
,
MATIVENGA Mallory
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
,
UM Jae Gwang
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
,
MRUTHYUNJAYA Ravi K.
(Carestream Health Inc., NY, USA)
,
HEILER Gregory N.
(Carestream Health Inc., NY, USA)
,
TREDWELL Timothy John
(Carestream Health Inc., NY, USA)
,
JANG Jin
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
62
号:
3
ページ:
869-874
発行年:
2015年03月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)