文献
J-GLOBAL ID:201502274883858990
整理番号:15A0007070
600V/20A 4H-SiC Schottky障壁ダイオードの作製
Fabrication of a 600-V/20-A 4H-SiC Schottky Barrier Diode
著者 (5件):
KANG In-Ho
(Korea Electrotechnology Res. Inst. (KERI), Changwon, KOR)
,
KIM Sang-Cheol
(Korea Electrotechnology Res. Inst. (KERI), Changwon, KOR)
,
MOON Jung-Hyeon
(Korea Electrotechnology Res. Inst. (KERI), Changwon, KOR)
,
BAHNG Wook
(Korea Electrotechnology Res. Inst. (KERI), Changwon, KOR)
,
KIM Nam-Kyun
(Korea Electrotechnology Res. Inst. (KERI), Changwon, KOR)
資料名:
Journal of the Korean Physical Society
(Journal of the Korean Physical Society)
巻:
64
号:
12
ページ:
1886-1891
発行年:
2014年06月30日
JST資料番号:
T0357A
ISSN:
0374-4884
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
韓国 (KOR)
言語:
英語 (EN)