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文献
J-GLOBAL ID：201502274954948902
整理番号：15A0217763
化学溶液堆積法による優れた強誘電性を持つエピタキシャル(001)BiFeO3薄膜-ゲル化の役割
Epitaxial (001) BiFeO3 thin-films with excellent ferroelectric properties by chemical solution deposition-the role of gelation
ZHANG Qi
(Univ. New South Wales, New South Wales, AUS)
,
VALANOOR Nagarajan
(Univ. New South Wales, New South Wales, AUS)
,
STANDARD Owen
(Univ. New South Wales, New South Wales, AUS)
資料名：
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 3 号： 3 ページ： 582-595 発行年： 2015年01月21日
JST資料番号： W2383A ISSN： 2050-7526 CODEN： JMCCCX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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