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文献
J-GLOBAL ID:201502275051311823   整理番号:15A0357944

原子的に薄いアルセネン及びアンチモネン 半金属-半導体及び間接-直接バンドギャップ遷移

Atomically Thin Arsenene and Antimonene: Semimetal-Semiconductor and Indirect-Direct Band-Gap Transitions
著者 (5件):
ZHANG Shengli
(Inst. of Optoelectronics & Nanomaterials, Herbert Gleiter Inst. of Nanoscience, Coll. of Materials Sci. and ...)
YAN Zhong
LI Yafei
CHEN Zhongfang
ZENG Haibo

資料名:
Angewandte Chemie. International Edition  (Angewandte Chemie. International Edition)

巻: 54  号: 10  ページ: 3112-3115  発行年: 2015年03月02日 
JST資料番号: H0127B  ISSN: 1433-7851  CODEN: ACIEAY  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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