文献
J-GLOBAL ID:201502275051311823
整理番号:15A0357944
原子的に薄いアルセネン及びアンチモネン 半金属-半導体及び間接-直接バンドギャップ遷移
Atomically Thin Arsenene and Antimonene: Semimetal-Semiconductor and Indirect-Direct Band-Gap Transitions
著者 (5件):
ZHANG Shengli
(Inst. of Optoelectronics & Nanomaterials, Herbert Gleiter Inst. of Nanoscience, Coll. of Materials Sci. and ...)
,
YAN Zhong
,
LI Yafei
,
CHEN Zhongfang
,
ZENG Haibo
資料名:
Angewandte Chemie. International Edition
(Angewandte Chemie. International Edition)
巻:
54
号:
10
ページ:
3112-3115
発行年:
2015年03月02日
JST資料番号:
H0127B
ISSN:
1433-7851
CODEN:
ACIEAY
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)