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文献
J-GLOBAL ID：201502275889508149
整理番号：15A0682367
65nmバルクCMOSで3.3dB損失と23.7dB分離による130-180GHz0.0035mm2SPDTスイッチ
A 130-to-180GHz 0.0035mm2 SPDT Switch with 3.3dB Loss and 23.7dB Isolation in 65nm Bulk CMOS
MENG Fanyi
(Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP)
,
MA Kaixue
(Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP)
,
YEO Kiat Seng
(Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP)
,
YEO Kiat Seng
(Singapore Univ. Technol. and Design, Singapore, SGP)
資料名：
Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference
(Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 2015 ページ： 34-35,35(1) 発行年： 2015年
JST資料番号： D0753A ISSN： 0193-6530 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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