文献
J-GLOBAL ID:201502276819352156
整理番号:15A0222834
歳差電子回折および二レンズ暗視野電子ホログラフィーによって明らかにされる埋め込みSiGe半導体デバイス中のナノスケールの歪分布
Nanoscale strain distributions in embedded SiGe semiconductor devices revealed by precession electron diffraction and dual lens dark field electron holography
著者 (6件):
WANG Y. Y.
(IBM Micro-Electronics Div., 2070 Route 52, Hopewell Junction, New York 12570, USA)
,
COOPER D.
(Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, FRA)
,
ROUVIERE J.
(Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, FRA)
,
MURRAY C. E.
(IBM T. J. Watson Res. Center, 1101 Kitchawan Road, Route 134, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
,
BERNIER N.
(Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, FRA)
,
BRULEY J.
(IBM T. J. Watson Res. Center, 1101 Kitchawan Road, Route 134, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
106
号:
4
ページ:
042104-042104-4
発行年:
2015年01月26日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)