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文献
J-GLOBAL ID：201502276819352156
整理番号：15A0222834
歳差電子回折および二レンズ暗視野電子ホログラフィーによって明らかにされる埋め込みSiGe半導体デバイス中のナノスケールの歪分布
Nanoscale strain distributions in embedded SiGe semiconductor devices revealed by precession electron diffraction and dual lens dark field electron holography
WANG Y. Y.
(IBM Micro-Electronics Div., 2070 Route 52, Hopewell Junction, New York 12570, USA)
,
COOPER D.
(Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, FRA)
,
ROUVIERE J.
(Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, FRA)
,
MURRAY C. E.
(IBM T. J. Watson Res. Center, 1101 Kitchawan Road, Route 134, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
,
BERNIER N.
(Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, FRA)
,
BRULEY J.
(IBM T. J. Watson Res. Center, 1101 Kitchawan Road, Route 134, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 106 号： 4 ページ： 042104-042104-4 発行年： 2015年01月26日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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