文献
J-GLOBAL ID:201502277693918392
整理番号:15A0506981
炭窒化ケイ素(SiCN)誘電体を用いた電荷トラッピング不揮発性メモリの電荷保持特性
Charge retention characteristics of charge trapping nonvolatile memories with silicon carbonitride (SiCN) dielectrics
著者 (6件):
AHMED S. R. A.
(Tokai Univ.)
,
NAITO S.
(Tokai Univ.)
,
SHIBAYAMA H.
(Tokai Univ.)
,
NAKAMURA J.
(Tokai Univ.)
,
KOBAYASHI K.
(Tokai Univ.)
,
KOBAYASHI K.
(Tokai Univ., Kanagawa, JPN)
資料名:
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻:
62nd
ページ:
ROMBUNNO.12A-P12-3
発行年:
2015年02月26日
JST資料番号:
Y0054B
ISSN:
2436-7613
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)