文献
J-GLOBAL ID:201502278614671340
整理番号:15A0298501
TCAD使用におけるInGaAs低電界移動度のための層厚とストレス依存性補正
Layer Thickness and Stress-Dependent Correction for InGaAs Low-Field Mobility in TCAD Applications
著者 (4件):
PENZIN Oleg
(Synopsys Inc., OR, USA)
,
SMITH Lee
(Synopsys Inc., CA, USA)
,
ERLEBACH Axel
(Synopsys Switzerland LLC, Zurich, CHE)
,
LEE Ko-Hsin
(Synopsys Taiwan Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
62
号:
2
ページ:
493-500
発行年:
2015年02月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)