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文献
J-GLOBAL ID：201502278652037957
整理番号：15A0473268
55μA GexTe1-x/Sb2Te3超格子トポロジカルスイッチングランダムアクセスメモリ(TRAM)とGe-Te及びSb-Te構造における原子配列の研究
55-μA GexTe1-x/Sb2Te3 superlattice topological-switching random access memory (TRAM) and study of atomic arrangement in Ge-Te and Sb-Te structures
TAKAURA N.
(Low-power Electronics Association & Project, Ibaraki, JPN)
,
OHYANAGI T.
(Low-power Electronics Association & Project, Ibaraki, JPN)
,
TAI M.
(Low-power Electronics Association & Project, Ibaraki, JPN)
,
KINOSHITA M.
(Low-power Electronics Association & Project, Ibaraki, JPN)
,
AKITA K.
(Low-power Electronics Association & Project, Ibaraki, JPN)
,
MORIKAWA T.
(Low-power Electronics Association & Project, Ibaraki, JPN)
,
SHIRAKAWA H.
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
ARAIDAI M.
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)
,
SHIRAISHI K.
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)
,
SAITO Y.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
TOMINAGA J.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2014 ページ： 685-688 発行年： 2014年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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