文献
J-GLOBAL ID:201502278859777799
整理番号:15A0392347
非晶質SiO2/4H-SiC(0001)界面: 典型的な欠陥の正確な電荷遷移準位とバンドオフセット
An amorphous SiO2/4H-SiC(0001) interface: Band offsets and accurate charge transition levels of typical defects
著者 (3件):
LI Wenbo
(Dalian Univ. Technol., Dalian, CHN)
,
ZHAO Jijun
(Dalian Univ. Technol., Dalian, CHN)
,
WANG Dejun
(Dalian Univ. Technol., Dalian, CHN)
資料名:
Solid State Communications
(Solid State Communications)
巻:
205
ページ:
28-32
発行年:
2015年02月23日
JST資料番号:
H0499A
ISSN:
0038-1098
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)