文献
J-GLOBAL ID:201502279053054475
整理番号:15A0432623
二次元半導体におけるキャリアプラズモン誘起非線形バンドギャップ繰込み
Carrier Plasmon Induced Nonlinear Band Gap Renormalization in Two-Dimensional Semiconductors
著者 (2件):
LIANG Yufeng
(Washington Univ. St. Louis, Missouri, USA)
,
YANG Li
(Washington Univ. St. Louis, Missouri, USA)
資料名:
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻:
114
号:
6
ページ:
063001.1-063001.5
発行年:
2015年02月13日
JST資料番号:
H0070A
ISSN:
0031-9007
CODEN:
PRLTAO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)