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文献
J-GLOBAL ID：201502279899970300
整理番号：15A0298491
バルクGaNに基づく縦型パワーp-nダイオード
Vertical Power p-n Diodes Based on Bulk GaN
KIZILYALLI Isik C.
(Avogy Inc., CA, USA)
,
EDWARDS Andrew P.
(Avogy Inc., CA, USA)
,
AKTAS Ozgur
(Avogy Inc., CA, USA)
,
PRUNTY Thomas
(Avogy Inc., CA, USA)
,
BOUR David
(Avogy Inc., CA, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62 号： 2 ページ： 414-422 発行年： 2015年02月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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