文献
J-GLOBAL ID:201502280003312323
整理番号:15A0512686
垂直温度勾配凝固法によって成長したGaドープの組成的に均質なSi0.68Ge0.32バルク結晶の高い力率
High Power Factor of Ga-Doped Compositionally Homogeneous Si0.68Ge0.32 Bulk Crystal Grown by the Vertical Temperature Gradient Freezing Method
著者 (13件):
OMPRAKASH Muthusamy
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
ARIVANANDHAN Mukannan
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
KOYAMA Tadanobu
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
MOMOSE Yoshimi
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
IKEDA Hiroya
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
TATSUOKA Hirokazu
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
ASWAL Dinesh K.
(Bhaha Atomic Res. Center, Mumbai, IND)
,
BHATTACHARYA Shovit
(Bhaha Atomic Res. Center, Mumbai, IND)
,
OKANO Yasunori
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
OZAWA Tetsuo
(Shizuoka Inst. of Sci. and Technol., Shizuoka, JPN)
,
INATOMI Yuko
(Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN)
,
BABU Sridharan Moorthy
(Anna Univ., Chennai, IND)
,
HAYAKAWA Yasuhiro
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名:
Crystal Growth & Design
(Crystal Growth & Design)
巻:
15
号:
3
ページ:
1380-1388
発行年:
2015年03月
JST資料番号:
W1323A
ISSN:
1528-7483
CODEN:
CGDEFU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)