文献
J-GLOBAL ID:201502280095266080
整理番号:15A0417693
抵抗ランダムアクセスメモリのイオンマイグレーションバリアを制御した加速把持時間試験法
Accelerated Retention Test Method by Controlling Ion Migration Barrier of Resistive Random Access Memory
著者 (6件):
KOO Yunmo
(Pohang Univ. Sci. and Technol., Pohang, KOR)
,
AMBROGIO Stefano
(Politecnico di Milano, Milano, ITA)
,
WOO Jiyong
(Pohang Univ. Sci. and Technol., Pohang, KOR)
,
SONG Jeonghwan
(Pohang Univ. Sci. and Technol., Pohang, KOR)
,
IELMINI Daniele
(Politecnico di Milano, Milano, ITA)
,
HWANG Hyunsang
(Pohang Univ. Sci. and Technol., Pohang, KOR)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
36
号:
3
ページ:
238-240
発行年:
2015年03月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)