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文献
J-GLOBAL ID：201502280716938940
整理番号：15A0458259
Ge基板中の酸素がn-MOSFETsの接合リーク電流及び電子移動度に与える効果
Dramatic Effects of Hydrogen-induced Out-diffusion of Oxygen from Ge Surface on Junction Leakage as well as Electron Mobility in n-channel Ge MOSFETs
LEE ChoongHyun
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
NISHIMURA Tomonori
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
LU Cimang
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
KABUYANAGI Shoichi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TORIUMI Akira
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 114 号： 421(SDM2014 135-146) ページ： 5-8 発行年： 2015年01月20日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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