文献
J-GLOBAL ID:201502280716938940
整理番号:15A0458259
Ge基板中の酸素がn-MOSFETsの接合リーク電流及び電子移動度に与える効果
Dramatic Effects of Hydrogen-induced Out-diffusion of Oxygen from Ge Surface on Junction Leakage as well as Electron Mobility in n-channel Ge MOSFETs
著者 (5件):
LEE ChoongHyun
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
NISHIMURA Tomonori
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
LU Cimang
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
KABUYANAGI Shoichi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TORIUMI Akira
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
114
号:
421(SDM2014 135-146)
ページ:
5-8
発行年:
2015年01月20日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)