文献
J-GLOBAL ID:201502281389130239
整理番号:15A0290921
GaAs(001)へのCo2TiSi薄膜の分子線エピタキシャル成長とその特徴:成長温度の影響
Molecular beam epitaxy growth and properties of Co2TiSi thin films on GaAs(0 0 1): the effect of growth temperature
著者 (2件):
DAU M T
(Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU)
,
HERFORT J
(Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU)
資料名:
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻:
48
号:
2
ページ:
025003,1-6
発行年:
2015年01月21日
JST資料番号:
B0092B
ISSN:
0022-3727
CODEN:
JPAPBE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)