文献
J-GLOBAL ID:201502282212166817
整理番号:15A0446897
ErドープGaN量子井戸構造における1.54μm放射の劇的増強
Dramatic enhancement of 1.54 μm emission in Er doped GaN quantum well structures
著者 (5件):
AL TAHTAMOUNI T. M.
(Dep. of Physics, Yarmouk Univ., Irbid 21163, Jordan)
,
STACHOWICZ M.
(Inst. of Physics, Polish Acad. of Sciences, 02-668 Warsaw, POL)
,
LI J.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech Univ., Lubbock, Texas 79409, USA)
,
LIN J. Y.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech Univ., Lubbock, Texas 79409, USA)
,
JIANG H. X.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech Univ., Lubbock, Texas 79409, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
106
号:
12
ページ:
121106-121106-5
発行年:
2015年03月23日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)