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J-GLOBAL ID：201502282408053980 整理番号：15A0599861

Si(001)上でのホモエピタキシャル成長中のRHEED強度振動の成因

Origin of RHEED intensity oscillation during homoepitaxial growth on Si(001)

著者 (2件)：

KAWAMURA T.

(Univ. Yamanashi, Yamanashi, JPN)

MAKSYM P. A.

(Univ. Leicester, Leicester, GBR)

資料名：

Surface Science (Surface Science)

巻： 630 ページ： 125-135 発行年： 2014年12月
JST資料番号： C0129B ISSN： 0039-6028 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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