文献
J-GLOBAL ID:201502282524783449
整理番号:15A0518620
原子層蒸着超薄(2nm)酸化アルミニウムクロスバー抵抗ランダムアクセスメモリにおける抵抗スイッチングと閾値スイッチングの発生
Occurrence of Resistive Switching and Threshold Switching in Atomic Layer Deposited Ultrathin (2nm) Aluminium Oxide Crossbar Resistive Random Access Memory
著者 (8件):
BANERJEE Writam
(Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
XU Xiaoxin
(Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
LIU Hongtao
(Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
LV Hangbing
(Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
LIU Qi
(Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
SUN Haitao
(Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
LONG Shibing
(Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
LIU Ming
(Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
36
号:
4
ページ:
333-335
発行年:
2015年04月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)