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文献
J-GLOBAL ID：201502282859499192
整理番号：15A0498074
けい素上エルビウムドープCeO2膜を用いる金属-酸化物-半導体素子からのエレクトロルミネセンス
Electroluminescence from metal-oxide-semiconductor devices with erbium-doped CeO2 films on silicon
LV Chunyan
(State Key Lab. of Silicon Materials and School of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN)
,
ZHU Chen
(State Key Lab. of Silicon Materials and School of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN)
,
WANG Canxing
(State Key Lab. of Silicon Materials and School of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN)
,
GAO Yuhan
(State Key Lab. of Silicon Materials and School of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN)
,
MA Xiangyang
(State Key Lab. of Silicon Materials and School of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN)
,
YANG Deren
(State Key Lab. of Silicon Materials and School of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 106 号： 14 ページ： 141102-141102-5 発行年： 2015年04月06日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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