文献
J-GLOBAL ID:201502283393772973
整理番号:15A0698096
グラフェン/MoS2/金属垂直電界効果トランジスタの輸送特性に対するグラフェン状態密度の影響
Influence of the density of states of graphene on the transport properties of graphene/MoS2/metal vertical field-effect transistors
著者 (7件):
MORIYA Rai
(Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo 153-8505, JPN)
,
YAMAGUCHI Takehiro
(Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo 153-8505, JPN)
,
INOUE Yoshihisa
(Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo 153-8505, JPN)
,
SATA Yohta
(Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo 153-8505, JPN)
,
MORIKAWA Sei
(Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo 153-8505, JPN)
,
MASUBUCHI Satoru
(Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo 153-8505, JPN)
,
MACHIDA Tomoki
(Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo 153-8505, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
106
号:
22
ページ:
223103-223103-5
発行年:
2015年06月01日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)