文献
J-GLOBAL ID:201502283776751996
整理番号:15A0626602
光学的に励起させたMOSキャパシタ技術を使ったシリコンエピタキシャル層におけるキャリア再結合寿命測定
Carrier Recombination Lifetime Measurement in Silicon Epitaxial Layers Using Optically Excited MOS Capacitor Technique
著者 (4件):
ELHAMI KHORASANI Arash
(ON Semiconductor, AZ, USA)
,
ELHAMI KHORASANI Arash
(Arizona State Univ., AZ, USA)
,
SCHRODER Dieter K.
(Arizona State Univ., AZ, USA)
,
ALFORD T. L.
(Arizona State Univ., AZ, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
62
号:
5
ページ:
1553-1560
発行年:
2015年05月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)