文献
J-GLOBAL ID:201502283974938007
整理番号:15A0626586
InGaAs量子井戸MOSFETにおける過剰オフ状態電流の物理と緩和
Physics and Mitigation of Excess OFF-State Current in InGaAs Quantum-Well MOSFETs
著者 (3件):
LIN Jianqiang
(Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
,
ANTONIADIS Dimitri A.
(Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
,
DEL ALAMO Jesus A.
(Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
62
号:
5
ページ:
1448-1455
発行年:
2015年05月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)