文献
J-GLOBAL ID:201502284224036008
整理番号:15A0434658
O2を導入した反応性スパッタリングにより蒸着したAlドープCeO2薄膜の電気・結晶化特性
ELECTRICAL AND CRYSTALLIZATION PROPERTIES OF Al DOPED CeO2 THIN FILMS DEPOSITED BY REACTIVE RF SPUTTERING WITH O2 INTRODUCTION
著者 (8件):
FUJIYAMA K.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
OHSAWA T.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
NOTANI Y.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
HARA K.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
AOKI K.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
ISHIBASHI K.
(Comet Inc., Ibaraki, JPN)
,
SUZUKI S.
(Comet Inc., Ibaraki, JPN)
,
YAMAMOTO Y.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
資料名:
Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement
(Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement)
号:
33
ページ:
77-82
発行年:
2015年03月
JST資料番号:
L0263A
ISSN:
0914-2908
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)