文献
J-GLOBAL ID:201502284406771609
整理番号:15A0549256
光励起電荷収集分光法によるトップゲートMoS2ナノシート電界効果トランジスタ上のトラップ密度のプロービング
Trap density probing on top-gate MoS2 nanosheet field-effect transistors by photo-excited charge collection spectroscopy
著者 (11件):
CHOI Kyunghee
(Inst. of Physics and Applied Physics, Yonsei Univ., 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul 120-749, Korea. ...)
,
RAZA Syed Raza Ali
,
LEE Hee Sung
,
JEON Pyo Jin
,
PEZESHKI Atiye
,
MIN Sung-Wook
,
KIM Jin Sung
,
YOON Woojin
,
JU Sang-Yong
,
LEE Kimoon
,
IM Seongil
資料名:
Nanoscale
(Nanoscale)
巻:
7
号:
13
ページ:
5617-5623
発行年:
2015年04月07日
JST資料番号:
W2323A
ISSN:
2040-3364
CODEN:
NANOHL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)