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文献
J-GLOBAL ID：201502284557314269
整理番号：15A0389082
GaAs-InGaAs-AlGaAs 2DEGを用いた高感度ナノテスラ量子井戸Hall効果集積回路
Highly Sensitive Nanotesla Quantum-Well Hall-Effect Integrated Circuit Using GaAs-InGaAs-AlGaAs 2DEG
SADEGHI Mohammadreza
(Univ. Manchester, Manchester, GBR)
,
SEXTON James
(Univ. Manchester, Manchester, GBR)
,
LIANG Chen-Wei
(Univ. Manchester, Manchester, GBR)
,
MISSOUS Mohamed
(Univ. Manchester, Manchester, GBR)
資料名：
IEEE Sensors Journal
(IEEE Sensors Journal)
巻： 15 号： 3 ページ： 1817-1824 発行年： 2015年03月
JST資料番号： W1318A ISSN： 1530-437X CODEN： ISJEAZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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