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文献
J-GLOBAL ID：201502284668347336
整理番号：15A0529846
厚い(約1μm)InxGa1-xN(X=0.2~0.4)における相分離に対する成長温度依存性臨界厚さ
Growth temperature dependent critical thickness for phase separation in thick (1μm) In Ga1- N (x=0.2-0.4)
YAMAMOTO A.
(Univ. of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui, Fukui 910-8507, JPN)
,
YAMAMOTO A.
(JST-CREST, 7 Goban-Cho, Chiyoda, Tokyo 102-0076, JPN)
,
MD Hasan Tanvir
(Univ. of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui, Fukui 910-8507, JPN)
,
MD Hasan Tanvir
(JST-CREST, 7 Goban-Cho, Chiyoda, Tokyo 102-0076, JPN)
,
KODAMA K.
(Univ. of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui, Fukui 910-8507, JPN)
,
SHIGEKAWA N.
(Osaka City Univ., 3-3-138 Sugimoto, Abeno, Osaka 558-8585, JPN)
,
KUZUHARA M.
(Univ. of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui, Fukui 910-8507, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 419 ページ： 64-68 発行年： 2015年06月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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