文献
J-GLOBAL ID:201502285763791851
整理番号:15A0512599
ナノ結晶IV族合金半導体:調整可能なバンドギャップ用のGe1-xSnx量子ドットの合成とキャラクタリゼーション
Nanocrystalline Group IV Alloy Semiconductors: Synthesis and Characterization of Ge1-xSnx Quantum Dots for Tunable Bandgaps
著者 (3件):
ESTEVES Richard J Alan
(Virginia Commonwealth Univ., Virginia, USA)
,
HO Minh Q.
(Virginia Commonwealth Univ., Virginia, USA)
,
ARACHCHIGE Indika U.
(Virginia Commonwealth Univ., Virginia, USA)
資料名:
Chemistry of Materials
(Chemistry of Materials)
巻:
27
号:
5
ページ:
1559-1568
発行年:
2015年03月10日
JST資料番号:
T0893A
ISSN:
0897-4756
CODEN:
CMATEX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)