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文献
J-GLOBAL ID：201502287032227313
整理番号：15A0305303
迅速X線ナノ回折顕微鏡法によるSiN/Ge相補型金属酸化膜半導体コンパチブル発光微細構造における歪と格子方位分布
Strain and lattice orientation distribution in SiN/Ge complementary metal-oxide-semiconductor compatible light emitting microstructures by quick x-ray nano-diffraction microscopy
CHAHINE G. A.
(European Synchrotron ESRF, Grenoble 38043, FRA)
,
ZOELLNER M. H.
(IHP-Leibniz Inst. for Innovative Microelectronics, Frankfurt, DEU)
,
RICHARD M.-i.
(European Synchrotron ESRF, Grenoble 38043, FRA)
,
GUHA S.
(IHP-Leibniz Inst. for Innovative Microelectronics, Frankfurt, DEU)
,
REICH C.
(IHP-Leibniz Inst. for Innovative Microelectronics, Frankfurt, DEU)
,
ZAUMSEIL P.
(IHP-Leibniz Inst. for Innovative Microelectronics, Frankfurt, DEU)
,
CAPELLINI G.
(IHP-Leibniz Inst. for Innovative Microelectronics, Frankfurt, DEU)
,
SCHROEDER T.
(IHP-Leibniz Inst. for Innovative Microelectronics, Frankfurt, DEU)
,
SCHUELLI T. U.
(European Synchrotron ESRF, Grenoble 38043, FRA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 106 号： 7 ページ： 071902-071902-4 発行年： 2015年02月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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