文献
J-GLOBAL ID:201502287162445207
整理番号:15A0403151
高温高速熱アニーリング後の低線量ヒ素/ホウ素打込みシリコンにおける残留欠陥の熱挙動
Thermal Behavior of Residual Defects in Low-Dose Arsenic- and Boron-Implanted Silicon After High-Temperature Rapid Thermal Annealing
著者 (3件):
SAGARA Akihiko
(Panasonic Corp., Osaka, JPN)
,
UEDONO Akira
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
SHIBATA Satoshi
(Panasonic Corp., Osaka, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
(IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing)
巻:
28
号:
1
ページ:
92-95
発行年:
2015年02月
JST資料番号:
T0521A
ISSN:
0894-6507
CODEN:
ITSMED
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)