文献
J-GLOBAL ID:201502287706649251
整理番号:15A0533085
強誘電抵抗BiFeO3薄膜メモリのドメインスイッチング動力学
Domain switching kinetics in ferroelectric-resistive BiFeO3 thin film memories
著者 (6件):
MENG Jianwei
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
JIANG Jun
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
GENG Wenping
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
CHEN Zhihui
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
ZHANG Wei
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
JIANG Anquan
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
54
号:
2
ページ:
024102.1-024102.7
発行年:
2015年02月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)