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文献
J-GLOBAL ID：201502287839571247
整理番号：15A0675221
プラズマ増強化学蒸着中のシラン監視により導いた実際のシリコン堆積ルール
Practical silicon deposition rules derived from silane monitoring during plasma-enhanced chemical vapor deposition
BARTLOME Richard
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Inst. of Microengineering (IMT), Photovoltaics and Thin-Film ...)
,
DE WOLF Stefaan
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Inst. of Microengineering (IMT), Photovoltaics and Thin-Film ...)
,
DEMAUREX Benedicte
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Inst. of Microengineering (IMT), Photovoltaics and Thin-Film ...)
,
BALLIF Christophe
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Inst. of Microengineering (IMT), Photovoltaics and Thin-Film ...)
,
AMANATIDES Eleftherios
(Univ. of Patras, Dep. of Chemical Engineering, Plasma Technol. Lab., P.O. Box 1407, 26504 Patras, GRC)
,
MATARAS Dimitrios
(Univ. of Patras, Dep. of Chemical Engineering, Plasma Technol. Lab., P.O. Box 1407, 26504 Patras, GRC)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 117 号： 20 ページ： 203303-203303-11 発行年： 2015年05月28日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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