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文献
J-GLOBAL ID：201502288389508376
整理番号：15A0522748
ジアルキル化ベンゾチエノベンゾチオフェンを電子供与体として含む層状結晶性供与体-受容体半導体に基づくn-型電界効果トランジスタ
N-type field-effect transistors based on layered crystalline donor-acceptor semiconductors with dialkylated benzothienobenzothiophenes as electron donors
TSUTSUMI Jun’ya
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba 305-8562, Japan. junya.tsutsumi@aist.go.jp)
,
MATSUOKA Satoshi
,
INOUE Satoru
,
MINEMAWARI Hiromi
,
YAMADA Toshikazu
,
HASEGAWA Tatsuo
資料名：
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 3 号： 9 ページ： 1976-1981 発行年： 2015年03月07日
JST資料番号： W2383A ISSN： 2050-7526 CODEN： JMCCCX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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