文献
J-GLOBAL ID:201502288424920617
整理番号:15A0556077
Ir-およびTi-系SchottkyゲートAlSb/InAs高電子移動度トランジスタのデバイス特性
The device characteristics of Ir- and Ti-based Schottky gates AlSb/InAs high electron mobility transistors
著者 (6件):
CHIU Hsien-Chin
(Dept. of Electronics Engineering, Chang Gung Univ., Taoyuan, Taiwan, TWN)
,
LIN Wen-Yu
(Dept. of Electronics Engineering, Chang Gung Univ., Taoyuan, Taiwan, TWN)
,
HSUEH W.J.
(Dept. of Electrical Engineering, National Central Univ., Jhongli, Taiwan, TWN)
,
CHIU Pei-Chin
(Dept. of Electrical Engineering, National Central Univ., Jhongli, Taiwan, TWN)
,
HSIN Yue-Ming
(Dept. of Electrical Engineering, National Central Univ., Jhongli, Taiwan, TWN)
,
CHYI Jen-Inn
(Dept. of Electrical Engineering, National Central Univ., Jhongli, Taiwan, TWN)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
55
号:
6
ページ:
890-893
発行年:
2015年05月
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)