文献
J-GLOBAL ID:201502289213959459
整理番号:15A0295354
有機金属気相成長法によって成長させたバナジウムドープGaAs層のフォトリフレクタンス特性評価
Photoreflectance characterization of vanadium-doped GaAs layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy
著者 (6件):
BILEL C.
(Univ. of Monastir, Fac. of Sciences, Unite de Rech. sur les Hetero-Epitaxies et Applications, Monastir 5019, Tunisia)
,
FITOURI H.
(Univ. of Monastir, Fac. of Sciences, Unite de Rech. sur les Hetero-Epitaxies et Applications, Monastir 5019, Tunisia)
,
ZAIED I.
(Univ. of Monastir, Fac. of Sciences, Unite de Rech. sur les Hetero-Epitaxies et Applications, Monastir 5019, Tunisia)
,
BCHETNIA A.
(Univ. of Monastir, Fac. of Sciences, Unite de Rech. sur les Hetero-Epitaxies et Applications, Monastir 5019, Tunisia)
,
REBEY A.
(Univ. of Monastir, Fac. of Sciences, Unite de Rech. sur les Hetero-Epitaxies et Applications, Monastir 5019, Tunisia)
,
JANI B. El
(Univ. of Monastir, Fac. of Sciences, Unite de Rech. sur les Hetero-Epitaxies et Applications, Monastir 5019, Tunisia)
資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻:
31
ページ:
100-105
発行年:
2015年03月
JST資料番号:
W1055A
ISSN:
1369-8001
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)