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文献
J-GLOBAL ID：201502289513559738
整理番号：15A0659027
均一,多層GaZnOxに基づく抵抗ランダムアクセスメモリにおける過酸化水素を用いた相転移による高信頼性スイッチング
Highly reliable switching via phase transition using hydrogen peroxide in homogeneous and multi-layered GaZnOx-based resistive random access memory devices
PARK Sung Pyo
(School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei Univ., 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul 120-749, Republic ...)
,
YOON Doo Hyun
,
TAK Young Jun
,
LEE Heesoo
,
KIM Hyun Jae
資料名：
Chemical Communications
(Chemical Communications)
巻： 51 号： 44 ページ： 9173-9176 発行年： 2015年06月04日
JST資料番号： D0376B ISSN： 1359-7345 CODEN： CHCOFS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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