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文献
J-GLOBAL ID：201502289976695789
整理番号：15A0562978
a-Si:H薄膜における水素状態,脱水素化処理およびa-Si:Hのナノ秒パルスレーザ結晶化への水素の影響の研究
Study of hydrogen states in a-Si:H films, dehydrogenization treatments and influence of hydrogen on nanosecond pulse laser crystallization of a-Si:H
VOLODIN V. A.
(A.V. Rzhanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)
,
VOLODIN V. A.
(Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS)
,
GALKOV M. S.
(A.V. Rzhanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)
,
GALKOV M. S.
(Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS)
,
SAFRONOVA N. A.
(A.V. Rzhanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)
,
SAFRONOVA N. A.
(Novosibirsk State Technical Univ., Novosibirsk, RUS)
,
KAMAEV G. N.
(A.V. Rzhanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)
,
KAMAEV G. N.
(Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS)
,
ANTONENKO A. H.
(A.V. Rzhanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)
,
ANTONENKO A. H.
(Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS)
,
KOCHUBEY S. A.
(A.V. Rzhanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)
資料名：
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻： 9440 ページ： 94400G.1-94400G.14 発行年： 2014年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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