文献
J-GLOBAL ID:201502291863960162
整理番号:15A0392998
フォトルミネセンスと数値シミュレーションを使って調べた補償ボロンドープシリコンにおける光誘起劣化の動力学
Kinetics of light-induced degradation in compensated boron-doped silicon investigated using photoluminescence and numerical simulation
著者 (5件):
FRASER K.
(Inst. des Nanotechnologies de Lyon (INL), UMR 5270, Univ. of Lyon, INSA-Lyon, 20 rue Albert Einstein, 69621 ...)
,
BLANC-PELISSIER D.
(Inst. des Nanotechnologies de Lyon (INL), UMR 5270, Univ. of Lyon, INSA-Lyon, 20 rue Albert Einstein, 69621 ...)
,
DUBOIS S.
(CEA, LITEN, INES, 50 av. du Lac Leman, F-73377 Le Bourget du Lac, FRA)
,
VEIRMAN J.
(CEA, LITEN, INES, 50 av. du Lac Leman, F-73377 Le Bourget du Lac, FRA)
,
LEMITI M.
(Inst. des Nanotechnologies de Lyon (INL), UMR 5270, Univ. of Lyon, INSA-Lyon, 20 rue Albert Einstein, 69621 ...)
資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻:
33
ページ:
49-57
発行年:
2015年05月
JST資料番号:
W1055A
ISSN:
1369-8001
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)