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文献
J-GLOBAL ID：201502292090721801
整理番号：15A0470873
三元ナローギャップ酸化物半導体の構造と熱的性質 ウルツ鉱誘導β-CuGaO2
Structural and Thermal Properties of Ternary Narrow-Gap Oxide Semiconductor; Wurtzite-Derived β-CuGaO2
NAGATANI Hiraku
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SUZUKI Issei
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KITA Masao
(Toyama National Coll. of Technol., Toyama, JPN)
,
TANAKA Masahiko
(National Inst. for Materials Sci., Hyogo, JPN)
,
KATSUYA Yoshio
(National Inst. for Materials Sci., Hyogo, JPN)
,
SAKATA Osami
(National Inst. for Materials Sci., Hyogo, JPN)
,
MIYOSHI Shogo
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
YAMAGUCHI Shu
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
OMATA Takahisa
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Inorganic Chemistry
(Inorganic Chemistry)
巻： 54 号： 4 ページ： 1698-1704 発行年： 2015年02月16日
JST資料番号： C0566A ISSN： 0020-1669 CODEN： INOCAJ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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