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文献
J-GLOBAL ID：201502292871267812
整理番号：15A0533138
不活性な雰囲気でのSiF4を用いたSiの選択エッチングによるSiC上へのエピタキシャルグラフェンの成長
Epitaxial gorwth of graphene on SiC by Si selective etching using SiF4 in an inert ambient
RANA Tawhid
(Univ. South Carolina, SC, USA)
,
CHANDRASHEKHAR M. V. S.
(Univ. South Carolina, SC, USA)
,
DANIELS Kevin
(Univ. South Carolina, SC, USA)
,
SUDARSHAN Tangali
(Univ. South Carolina, SC, USA)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54 号： 3 ページ： 030304.1-030304.4 発行年： 2015年03月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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