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文献
J-GLOBAL ID：201502296035365341
整理番号：15A0708801
プラズマ強調化学蒸着で成長させたシリコンリッチシリコンナイトライド膜の構造と発光特性
Structural and light emitting properties of silicon-rich silicon nitride films grown by plasma enhanced-chemical vapor deposition
TORCHYNSKA T.V.
(ESFM-Instituto Politecnico Nacional, Mexico DF 07320, MEX)
,
CASAS Espinola J.L.
(ESFM-Instituto Politecnico Nacional, Mexico DF 07320, MEX)
,
KHOMENKOVA L.
(V. Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics at National Acad. of Sciences of Ukraine, 45 pr. Nauky, 03028 Kyiv, UKR)
,
VERGARA Hernandez E.
(UPIITA-Instituto Politecnico Nacional, Mexico DF 07320, MEX)
,
ANDRACA Adame J.A.
(CNMN-Instituto Politecnico Nacional, Mexico DF 07320, MEX)
,
SLAOUI A.
(ICube, 23 rue du Loess, BP 20 CR, 67037 Strasbourg Cedex 2, FRA)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 37 ページ： 46-50 発行年： 2015年09月
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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