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文献
J-GLOBAL ID：201502296265718944
整理番号：15A0219049
モンテカルロ法を用いたSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数の抽出
Quasi-Ballistic Transport Parameters in Si Double-Gate MOSFETs Extracted Using Monte Carlo Method
土屋英昭
(神戸大 大学院工学研究科)
,
土屋英昭
(JST-CREST)
,
石田良馬
(神戸大 大学院工学研究科)
,
鎌倉良成
(大阪大 大学院工学研究科)
,
鎌倉良成
(JST-CREST)
,
森伸也
(大阪大 大学院工学研究科)
,
森伸也
(JST-CREST)
,
宇野重康
(立命館大 理工)
,
宇野重康
(JST-CREST)
,
小川真人
(神戸大 大学院工学研究科)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 114 号： 291(SDM2014 96-107) ページ： 53-58 発行年： 2014年10月30日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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