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文献
J-GLOBAL ID：201502298957337153
整理番号：15A0733686
塩化アンモニウムを利用する高温冶金塩素化プロセスによるCu(In,Ga)Se2半導体化合物の蒸発挙動
Evaporation Behaviors of Cu(In,Ga)Se2 Semiconductor Compound via Pyrometallurgical Chlorination Process Utilizing Ammonium Chloride
MORI Yurina
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya Univ.)
,
TERAKADO Osamu
(Dep. of Molecular Design and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya Univ.)
,
HIRASAWA Masahiro
(Dep. of Molecular Design and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya Univ.)
資料名：
Materials Transactions
(Materials Transactions)
巻： 56 号： 6 ページ： 883-888 (J-STAGE) 発行年： 2015年
JST資料番号： G0668A ISSN： 1345-9678 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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