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文献
J-GLOBAL ID：201502299260792509
整理番号：15A0202802
高抵抗のバッファ層を通るSiイオン注入β-Ga2O3中の異常なFeの拡散とGe2O3トランジスタ構造中のその抑制
Anomalous Fe diffusion in Si-ion-implanted β-Ga2O3 and its suppression in Ga2O3 transistor structures through highly resistive buffer layers
WONG Man Hoi
(National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)
,
SASAKI Kohei
(Tamura Corp., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, JPN)
,
KURAMATA Akito
(Tamura Corp., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, JPN)
,
YAMAKOSHI Shigenobu
(Tamura Corp., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, JPN)
,
HIGASHIWAKI Masataka
(National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 106 号： 3 ページ： 032105-032105-5 発行年： 2015年01月19日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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