文献
J-GLOBAL ID:201602200118136035
整理番号:16A0380171
14nm FinFET回路のエージングと製品検証における物理学機構と形状依存性の考察
Considering Physical Mechanisms and Geometry Dependencies in 14nm FinFET Circuit Aging and Product Validations
著者 (15件):
PAE S. W.
(Samsung Electronics Co. Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
,
SAGONG H. C.
(Samsung Electronics Co. Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
,
LIU C.
(Samsung Electronics Co. Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
,
JIN M. J.
(Samsung Electronics Co. Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
,
KIM Y. H.
(Samsung Electronics Co. Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
,
CHOO S. J.
(Samsung Electronics Co. Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
,
KIM J. J.
(Samsung Electronics Co. Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
,
KIM H. J.
(Samsung Electronics Co. Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
,
YOON S. Y.
(Samsung Electronics Co. Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
,
NAM H. W.
(Samsung Electronics Co. Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
,
SHIM H. W.
(Samsung Electronics Co. Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
,
PARK S. M.
(Samsung Electronics Co. Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
,
PARK J. K.
(Samsung Electronics Co. Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
,
SHIN S. C.
(Samsung Electronics Co. Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
,
PARK J. W.
(Samsung Electronics Co. Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
2015
ページ:
557-560
発行年:
2015年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)