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文献
J-GLOBAL ID：201602200441187137
整理番号：16A0380186
実験によるCET=0.98nm,SS<sub>for</sub>=42mV/dec,SS<sub>rev</sub>=28mV/dec,スイッチ-OFF<0.2V,およびヒステリシスフリーな方法を用いた強誘電性HfZrO<sub>x</sub> FETに関する見通し
Prospects for Ferroelectric HfZrOx FETs with Experimentally CET=0.98nm, SS<sub>for</sub>=42mV/dec, SS<sub>rev</sub>=28mV/dec, Switch-OFF <0.2V, and Hysteresis-Free Strategies
LEE M. H.
(National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN)
,
CHEN P.-G.
(National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN)
,
CHEN P.-G.
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
LIU C.
(National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN)
,
CHU K-Y.
(National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN)
,
CHENG C.-C.
(National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN)
,
XIE M.-J.
(National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN)
,
LIU S.-N.
(National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN)
,
LEE J.-W.
(National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN)
,
HUANG S.-J.
(National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN)
,
LIAO M.-H.
(National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN)
,
TANG M.
(PTEK Technol. Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
LI K.-S.
(National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN)
,
CHEN M.-C.
(National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2015 ページ： 616-619 発行年： 2015年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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